Transene二氧化硅 (SiO?) 蝕刻液 光刻膠

二氧化硅 (SiO?) 蝕刻劑
用于熱生長或沉積二氧化硅薄膜的高純度緩沖 HF 蝕刻劑。Transene 二氧化硅蝕刻劑是要求最小化鉆蝕和廣泛兼容性的半導體應用的理想選擇。緩沖氧化物蝕刻劑標準發(fā)貨不含表面活性劑。可根據(jù)要求添加非 PFAS 表面活性劑。

• 熱生長二氧化硅薄膜的最高蝕刻速率。

• 也適用于沉積的 SiO?。

• 用于磷硅玻璃 (PSG) 和硼硅玻璃 (BSG) 系統(tǒng)的緩沖浸入式蝕刻劑。蝕刻速率根據(jù) PSG 或 BSG 成分而變化。

• 對沉積二氧化硅薄膜蝕刻的優(yōu)良控制。

• 蝕刻硅上的沉積氧化物。

• 用鋁飽和，以盡量減少對金屬基底的侵蝕。

特性：

• 蝕刻速率范圍廣

• 高純度

• 即用型

• 與光刻膠的廣泛兼容性

氟化物 - 雙氟化物 - 氫氟酸緩沖液
改進的 HF 緩沖系統(tǒng)，具有穩(wěn)定的 HF 活性——平面鈍化器件（晶體管、集成電路、二極管、整流器、SCR、MOS、FET）半導體技術中使用的 SiO? 選擇性溶劑。

優(yōu)勢

• 即用型

• 經(jīng)濟高效

• HF 活性緩沖穩(wěn)定

• 優(yōu)異的工藝重現(xiàn)性

• 不會鉆蝕掩蔽氧化物

• 不會污染擴散硅表面

• 避免硅表面污染

• 光刻膠兼容性

文獻引用參考
Buffer HF Improved 的應用

BUFFER HF IMPROVED 描述
BUFFER HF IMPROVED 是一種理想的緩沖制劑，具有高緩沖指數(shù)和優(yōu)化、均勻的氧化物蝕刻速率。BUFFER HF IMPROVED 的成分通過 HF 活性測量和電測 pH 值進行精確控制。其質(zhì)量平衡基本上對應于 HF + F? + 2(HF??)（雙配體單核絡合物），電荷平衡為 (H?) – (F?) + (HF??)。HF 活性通過特定的平衡常數(shù)保持恒定，該常數(shù)調(diào)節(jié)氟化物、雙氟化物和 HF 緩沖組分之間的平衡反應。第二個平衡常數(shù)參與調(diào)節(jié)水合氫離子濃度。

BUFFER HF IMPROVED 的生產(chǎn)和分析確?；静缓s質(zhì)。特別去除了硝酸根離子，這是一種會導致擴散硅表面染色的常見雜質(zhì)?？赡軐е缕骷匦酝嘶闹亟饘匐s質(zhì)，在制造工藝規(guī)范下得到嚴格控制。

Buffer HF Improved 的性質(zhì)

• 如何提高蝕刻速率？

1. 溫度每升高 10°C，速率大約翻倍。

2. 增加攪拌或攪動速率。

• 如何降低蝕刻速率？
  添加 1 份去離子水到 2 份蝕刻劑中，蝕刻速率將降低約 50%。

• 我需要稀釋蝕刻劑嗎？
  不需要，它是即用型的。

• 如何減少鉆蝕？
  增加攪拌或攪動速率。

• 外觀：水白色

• pH 值：~4

• 20°C 下的蝕刻速率：800 ?/分鐘 *

• 蝕刻容量（速率在 ~70% 時開始下降）：65 克/加侖

• 保質(zhì)期：1 年

• 儲存條件：室溫；低于 10°C 會結晶；溫熱并攪拌使晶體重新溶解

• 過濾：0.2 微米

• 推薦操作溫度：20-80°C（30-40°C ）

• 清洗：去離子水；如果需要，可用酒精清洗。

• 光刻膠推薦：KLT6000 系列、KLT 5300 系列、HARE SQ（SU-8 型）、TRANSIST 或 PKP Type II

• 兼容材料選擇：金、銅、鎳

• 不兼容材料選擇：玻璃、鈦、氧化鋁、氮化硅

• 兼容塑料：HDPE、PP、Teflon、PFA、PVC

• 原產(chǎn)國：美國

• 可用性：常備庫存

• 可用規(guī)格：夸脫、加侖、5 加侖、55 加侖

• 包裝：HDPE 包裝，4 加侖/箱

• 各向同性：是

• 不兼容化學品：強酸

• 附加信息：劇毒——需極其謹慎

• 蝕刻速率可能因二氧化硅薄膜結構而異

BUFFER HF IMPROVED 的使用
BUFFER HF IMPROVED 溶解硅表面生成的二氧化硅薄膜（包括熱生長 SiO2 和硅烷沉積 SiO2）并通過光刻暴露的部分。它也能夠溶解半導體工藝中形成的摻雜二氧化硅薄膜，如磷硅玻璃和硼硅玻璃?？傮w化學反應為：
4HF + SiO? -> SiF? + 2H?O

為獲得正常操作，BUFFER HF IMPROVED 被推薦用于制造半導體平面和臺面器件的新技術中。它與負性和正性光刻膠均兼容。易于獲得具有良好重現(xiàn)性的優(yōu)異結果，且不會鉆蝕掩蔽氧化物、造成表面染色或由金屬雜質(zhì)導致器件退化。

使用說明
實用的氧化物鈍化層厚度范圍為 2000 ? 至 5000 ?，在室溫下將 BUFFER HF IMPROVED 暴露 2 至 5 分鐘可獲得良好效果。如有必要，可以縮短或延長暴露時間。BUFFER HF IMPROVED 應使用去離子水沖洗干凈。BUFFER HF IMPROVED 的高緩沖指數(shù)允許在固定暴露時間下重復使用緩沖液。為了獲得更快的蝕刻速率（約 2 倍），請在 35°C 下使用 BUFFER HF IMPROVED。

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Transene二氧化硅 (SiO?) 蝕刻液 光刻膠

緩沖氧化物蝕刻劑
高純度氟化銨和氫氟酸的標準混合物，比例有標準和定制可選。

BD Etchant (用于 PSG-SiO? 系統(tǒng))
一種改進的緩沖蝕刻配方，用于在晶體管表面鈍化中蝕刻磷硅玻璃-SiO? (PSG) 和硼硅玻璃-SiO? (BSG) 系統(tǒng)。BD Etchant 具有較低的 PSG/SiO? 蝕刻比，可大程度地減少 PSG 鈍化膜的鉆蝕。

應用： 用作浸入式蝕刻劑，從接觸孔中去除 SiO? 薄膜，而不擾動 PSG 薄膜。BD Etchant 用于硅晶體管晶圓的接觸孔金屬化之前，隨后進行水和酒精清洗。

• 如何提高蝕刻速率？

1. 溫度每升高 10°C，速率大約翻倍。

2. 增加攪拌或攪動速率。

• 如何降低蝕刻速率？
  添加 1 份去離子水到 2 份蝕刻劑中，蝕刻速率將降低約 50%。

• 我需要稀釋蝕刻劑嗎？
  不需要，它是即用型的。

• 如何減少鉆蝕？
  增加攪拌或攪動速率。

• 外觀：水白色

• pH 值：弱堿性

• 蝕刻速率：25°C 1.22 ?/秒；30°C 1.72 ?/秒

• 蝕刻容量（速率在 ~70% 時開始下降）：60 克/加侖

• 保質(zhì)期：1 年

• 儲存條件：常溫

• 過濾：0.2 微米

• 推薦操作溫度：20-80°C（30-40°C 常用）

• 清洗：去離子水；如果需要，可用酒精清洗。

• 兼容材料選擇：金、銅、鎳

• 不兼容材料選擇：氧化硅、氮化硅、氧化鋁

• 兼容塑料：HDPE、PP、Teflon、PFA、PVC

• 原產(chǎn)國：美國

• 可用性：常備庫存

• 可用規(guī)格：夸脫、加侖、5 加侖、55 加侖

• 包裝：HDPE 包裝，4 加侖/箱

• 各向同性：是

• 不兼容化學品：—

• 附加信息：—

Timetch (用于二氧化硅薄膜的受控蝕刻劑)
TIMETCH 是一種特殊配制的蝕刻劑溶液，在二氧化硅蝕刻過程中提供優(yōu)異的控制，且無鉆蝕。TIMETCH 與負性和正性光刻膠兼容。

TIMETCH 用于去除二氧化硅以及控制 MOS 器件的氧化層厚度。該產(chǎn)品也推薦用于二極管和晶體管器件在金屬化之前去除表面氧化物。

對于沉積氧化物，室溫下去除氧化物的速率為 1.5 ?/秒。對于熱氧化物，速率稍慢。蝕刻過程之后用蒸餾去離子水沖洗。Timetch 與銅兼容。

TRANSENE TIMETCH 蝕刻劑的性質(zhì)

• 如何提高蝕刻速率？

1. 溫度每升高 10°C，速率大約翻倍。

2. 增加攪拌或攪動速率。

• 如何降低蝕刻速率？
  添加 1 份去離子水到 2 份蝕刻劑中，蝕刻速率將降低約 50%。

• 我需要稀釋蝕刻劑嗎？
  不需要，它是即用型的。

• 如何減少鉆蝕？
  增加攪拌或攪動速率。

• 外觀：水白色

• pH 值：弱堿性

• 25°C 下的蝕刻速率：1.5 ?/秒

• 蝕刻容量（速率在 ~70% 時開始下降）：60 克/加侖

• 保質(zhì)期：1 年

• 儲存條件：常溫

• 過濾：0.2 微米

• 推薦操作溫度：20-80°C（30-40°C 常用）

• 清洗：去離子水；如果需要，可用酒精清洗。

• 兼容材料選擇：金、銅、鎳

• 不兼容材料選擇：氧化硅、氮化硅、氧化鋁

• 兼容塑料：HDPE、PP、Teflon、PFA、PVC

• 原產(chǎn)國：美國

• 可用性：常備庫存

• 可用規(guī)格：夸脫、加侖、5 加侖、55 加侖

• 包裝：HDPE 包裝，4 加侖/箱

• 各向同性：是

• 不兼容化學品：—

• 附加信息：—

Silox Vapox III
該蝕刻劑設計用于蝕刻硅表面上的沉積氧化物。這些氧化物通常在 vapox silox 或其他 LPCVD 設備中生長，在許多重要方面與其熱生長氧化物截然不同。一方面是它們的蝕刻速率，另一方面是它們的工藝用途。沉積氧化物常被用作金屬化硅基底上的鈍化層。Silox Vapox Etchant III 旨在優(yōu)化蝕刻用作鋁金屬化硅基底鈍化層的沉積氧化物。該蝕刻劑已用鋁飽和，以盡量減少其對金屬化基底的侵蝕。

沉積氧化物 (Vapox/Silox) 蝕刻速率：4000 ? / 分鐘 @ 22 °C

該產(chǎn)品包含：

• 氟化銨

• 冰醋酸

• 鋁腐蝕抑制劑

• 表面活性劑

• 去離子水

TRANSENE SILOX VAPOX III 的性質(zhì)

• 如何提高蝕刻速率？

1. 溫度每升高 10°C，速率大約翻倍。

2. 增加攪拌或攪動速率。

• 如何降低蝕刻速率？
  添加 1 份去離子水到 2 份蝕刻劑中，蝕刻速率將降低約 50%。

• 我需要稀釋蝕刻劑嗎？
  不需要，它是即用型的。

• 如何減少鉆蝕？
  增加攪拌或攪動速率。

• 外觀：透明，無色

• pH 值：酸性

• 22°C 下的蝕刻速率：4,000 ?/分鐘

• 蝕刻容量（速率在 ~70% 時開始下降）：65 克/加侖

• 保質(zhì)期：1 年

• 儲存條件：常溫

• 過濾：1 微米

• 推薦操作溫度：20-80°C（30-40°C 常用）

• 清洗：去離子水

• 光刻膠推薦：KLT6000 系列、KLT 5300 系列、HARE SQ（SU-8 型）、TRANSIST 或 PKP II

• 兼容材料選擇：Au, Cr, Ni, Cu

• 不兼容材料選擇：氧化物、氮化物、氧化鋁、Ti

• 兼容塑料：HDPE、PP、Teflon、PFA、PVC

• 原產(chǎn)國：美國

• 可用性：1-2 天

• 可用規(guī)格：夸脫、加侖、5 加侖、55 加侖

• 包裝：HDPE 包裝，4 加侖/箱

• 各向同性：是

• 不兼容化學品：強堿

• 附加信息：—

AlPAD Etch 639
I. AlPAD Etch 639 是一種氧化物蝕刻劑，旨在最大限度地減少對鋁焊盤或其他鋁結構以及硅表面的侵蝕。這些氧化物通常在 vapox silox 或其他 LPCVD 設備中生長。沉積氧化物通常用作金屬化硅基底上的鈍化層。AlPAD Etch 639 的配方包含表面活性劑，以確保在高表面能基底上的潤濕覆蓋。

II. 沉積氧化物 (Vapox/Silox) 蝕刻速率：5000 ? / 分鐘 @ 22°C

III. 該產(chǎn)品包含：

• 氟化銨

• 冰醋酸

• 乙二醇

• 表面活性劑

• 去離子水