掩膜曝光光刻機(jī)Mask Aligner

簡(jiǎn)要描述：MYCRO*荷蘭光刻機(jī)（掩膜曝光光刻機(jī)Mask Aligner ），是的光刻系統(tǒng)，為半導(dǎo)體制造和科研領(lǐng)域提供品質(zhì)優(yōu)良穩(wěn)定的全波段紫外光刻機(jī)系統(tǒng)，廣泛的應(yīng)用于半導(dǎo)體光刻工藝制程、微機(jī)電MEMS、二極管芯片、發(fā)光二極體（LED）芯片制造、生物器件、納米科技、顯示面板LCD、光電器件、奈米壓印以及電子封裝等諸多領(lǐng)域。

產(chǎn)品型號(hào)：MPEM-1600
廠商性質(zhì)：代理商
更新時(shí)間：2025-07-02
訪問量：4037

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掩膜曝光光刻機(jī)

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詳細(xì)介紹

一、掩膜曝光光刻機(jī)Mask Aligner產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

光刻機(jī)分為半自動(dòng)和全自動(dòng)兩大系列。MPEM系列是高精度的雙向掩模對(duì)準(zhǔn)器，在晶片的頂側(cè)和底側(cè)包括對(duì)準(zhǔn)光學(xué)系統(tǒng)，因此可以與頂側(cè)對(duì)準(zhǔn)對(duì)頂側(cè)表面進(jìn)行接觸，軟接觸和接近圖案化。晶片底面上的圖形。掩模和晶圓的準(zhǔn)確對(duì)準(zhǔn)可能是通過高分辨率光學(xué)系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)的，該光學(xué)系統(tǒng)的頂部和底部均安裝了對(duì)稱排列的10X物鏡。由于可以調(diào)成對(duì)的物鏡之間的間隔，所以不規(guī)則形成的晶片也可以自由地對(duì)準(zhǔn)。

		MPEM-1600	MPEM-12M	MPEM-16M
光罩尺寸		多5英寸	多7英寸	多9英寸
晶圓尺寸		高達(dá)4英寸（無定形）	高達(dá)6英寸（無定形）	高達(dá)8英寸（無定形）
面罩架滑動(dòng)		手動(dòng)卡盤
面具運(yùn)動(dòng)		X =±3毫米，Y =±3毫米
接觸	方法	軟接觸/硬接觸/接近暴露
	照明	250W超高壓蒸氣汞燈	500W超高壓蒸氣汞燈
	照明不規(guī)則	±5％
	有效接觸面積	直徑100毫米	直徑150毫米	直徑200毫米
	解析度	3mµ L / S
對(duì)準(zhǔn)	方法	目鏡觀察（精神領(lǐng)域系統(tǒng)）		9英寸視頻監(jiān)控系統(tǒng)
	物鏡	10X兩對(duì)（上/下）
	目鏡	NWF 10X（一對(duì)）		--
	總放大倍率	100倍		200倍
	物鏡分離	15?90毫米	80?140毫米	55?184毫米
	聚焦單元	手冊(cè)
	對(duì)準(zhǔn)范圍	X，Y =±4mmθ =±22.5°	X，Y =±4mmθ =±5°
	對(duì)齊間隙	09?99微米
	對(duì)準(zhǔn)精度	小于±5mm
實(shí)用工具	主機(jī)電源	100-220V AC，50 / 60Hz，15A（600W）
	水銀燈電源	100-220V AC，50 / 60Hz，15A（550W）	100-220V，50 / 60Hz，15A（1,100W）
	氮?dú)?/span>	0.4?0.5兆帕	100-220V AC，50 / 60Hz，15A（1,100W）
	真空壓力	小于21.3kPa （從大氣壓到-80kPa ）
尺寸（主機(jī)）		750（寬）x 820（深）x 1,700（高）mm	940（寬）x 860（深）x 1,670（高）mm	1,200（寬）x 1,090（深）x 1,800（高）mm
凈重		大約 450公斤	大約 550公斤	大約 700公斤
選件		NWF 15X目鏡（一對(duì)） 9英寸電視監(jiān)視器系統(tǒng)（黑白）		--

MPEM-1600	MPEM-12M	MPEM-16M
（適用于直徑大為4英寸的晶片）	（適用于直徑大為6英寸的晶片）	（適用于直徑大為8英寸的晶片)