MicroChem光刻膠是一大類具有光敏化學(xué)作用(或?qū)﹄娮幽芰棵舾?的高分子聚合物材料，是轉(zhuǎn)移紫外曝光或電子束曝照圖案的媒介。

　　MicroChem光刻膠應(yīng)用范圍：廣泛應(yīng)用于集成電路，封裝，微機(jī)電系統(tǒng)，光電子器件光子器件，平板顯示器，太陽能光伏等領(lǐng)域。

　　主要技術(shù)參數(shù)

　　1．靈敏度

　　靈敏度是衡量曝光速度的指標(biāo)。靈敏度越高，所需的曝光劑量越小。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。

　　2．分辨率（resolution）

　　區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關(guān)鍵尺寸來衡量分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小，分辨率越好。

　　分辨率是一個(gè)綜合指標(biāo)，影響該指標(biāo)的因素通常有如下3個(gè)方面：

　　(1)曝光系統(tǒng)的分辨率。

　　(2)對比度、膠厚、相對分子質(zhì)量等。一般薄膠容易得到高分辨率圖形。

　　(3)前烘、曝光、顯影、后烘等工藝都會影響分辨率。

　　3．對比度

　　對比度指從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度。對比度越好，越容易形成側(cè)壁陡直的圖形和較高的寬高比。

　　4．粘滯性/黏度

　　衡量光刻膠流動(dòng)特性的參數(shù)。黏度通常可以使用光刻膠中聚合物的固體含量來控制。同一種光刻膠根據(jù)濃度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度決定了該膠的不同的涂膠厚度。

　　5．抗蝕性

　　必須保持它的粘附性，在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。

　　6．工藝寬容度

　　光刻膠的的前后烘溫度、曝光工藝、顯影液濃度、顯影時(shí)間等都會對z后的光刻膠圖形產(chǎn)生影響。每一套工藝都有相應(yīng)的工藝條件，當(dāng)實(shí)際工藝條件偏離z佳值時(shí)要求光刻膠的性能變化盡量小，即有較大的工藝寬容度。這樣的光刻膠對工藝條件的控制就有一定的寬容性。

　　以上便是今天關(guān)于MicroChem光刻膠的主要技術(shù)指標(biāo)都有哪些的全部分享了，希望對大家今后使用本設(shè)備能有幫助。